Microsemi Corporation APTGF660U60D4G

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

D4

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

已出版

2012

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

最大功率耗散

2.8kW

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

4

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

2800W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

860A

最大集极截止电流

500μA

输入电容

36nF

接通时间

343 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.45V @ 15V, 800A

关断时间-标准值（toff)

545 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

36nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准