Microsemi Corporation APTGL120TDU120TPG

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)

工厂交货时间

36 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

引脚数

23

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

6

操作温度

-40°C~175°C TJ

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

23

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

517W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

23

资历状况

不合格

配置

Triple, Dual - Common Source

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

517W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

140A

最大集极截止电流

250μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

6.2nF

接通时间

185 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.15V @ 15V, 100A

关断时间-标准值（toff)

430 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

6.2nF @ 25V

VCEsat-最大值

2.15 V

RoHS状态

符合RoHS标准