Microsemi Corporation APTGL90DH120T3G

工厂交货时间

22 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP3

引脚数

16

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~175°C TJ

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

385W

配置

不对称桥

元素配置

Dual

功率 - 最大

385W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

110A

最大集极截止电流

250μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

4.4nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 75A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

4.4nF @ 25V

VCEsat-最大值

2.2 V

RoHS状态

符合RoHS标准