Microsemi Corporation APTGLQ75H120T3G

工厂交货时间

36 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

SP1

引脚数

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

290 ns

操作温度

-40°C~175°C TJ

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

385W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

全桥

接通延迟时间

30 ns

功率 - 最大

385W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

2.4V

最大集电极电流

130A

最大集极截止电流

50μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

4.4nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 75A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

4.4nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅