Microsemi Corporation APTGT100BB60T3G

工厂交货时间

36 Weeks

底架

Screw, Through Hole

安装类型

通孔

包装/外壳

SP3

引脚数

16

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~175°C TJ

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

340W

配置

半桥

元素配置

Dual

功率 - 最大

340W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

150A

最大集极截止电流

250μA

输入电容

6.1nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 100A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

6.1nF @ 25V

VCEsat-最大值

1.9 V

RoHS状态

符合RoHS标准