Microsemi Corporation APTGT100H170G

工厂交货时间

36 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP6

引脚数

12

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.7kV

Number of Elements

4

操作温度

-40°C~150°C TJ

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

12

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

560W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

12

配置

全桥逆变器

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

560W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.7kV

最大集电极电流

150A

最大集极截止电流

350μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1700V

输入电容

9nF

接通时间

450 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 100A

关断时间-标准值（toff)

1100 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

9nF @ 25V

VCEsat-最大值

2.4 V

RoHS状态

符合RoHS标准