Microsemi Corporation APTGT200A60TG

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP4

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

2

操作温度

-40°C~175°C TJ

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

12

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

625W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

12

JESD-30代码

R-XUFM-X12

资历状况

不合格

配置

半桥

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

625W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.9V

最大集电极电流

290A

最大集极截止电流

250μA

输入电容

12.3nF

接通时间

180 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 200A

关断时间-标准值（toff)

370 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

12.3nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准