Microsemi Corporation APTGT400A60D3G
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APTGT400A60D3G
1619-APTGT400A60D3G
晶体管 - IGBT - 模块
D-3 Module
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POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG D3
--最小包装量--
APTGT400A60D3G详情
Microsemi Corporation APTGT400A60D3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
36 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
D-3 Module
引脚数
11
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
490 ns
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Bulk
已出版
2011
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
7
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.25kW
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
11
JESD-30代码
R-XUFM-X7
配置
半桥
元素配置
Dual
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
110 ns
功率 - 最大
1250W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
500A
最大集极截止电流
500μA
输入电容
24nF
接通时间
190 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V, 400A
关断时间-标准值(toff)
600 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
无
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
24nF @ 25V
VCEsat-最大值
1.9 V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APTGT400A60D3G拓展信息
Microsemi Corporation
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