Microsemi Corporation APTGT75DA120T1G

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP1

引脚数

1

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~150°C TJ

已出版

2007

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

12

端子表面处理

锡银铜

最大功率耗散

357W

端子位置

UPPER

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

12

资历状况

不合格

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

357W

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

2.1V

最大集电极电流

110A

最大集极截止电流

250μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

5.34nF

接通时间

335 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 75A

关断时间-标准值（toff)

610 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

5.34nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准