Microsemi Corporation APTGT75H120TG
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APTGT75H120TG
1619-APTGT75H120TG
晶体管 - IGBT - 模块
SP4
大陆
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Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 110A 20-Pin Case SP-4
1最小包装量--
APTGT75H120TG详情
Microsemi Corporation APTGT75H120TG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
工厂交货时间
36 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP4
引脚数
20
供应商器件包装
SP4
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Current-Collector (Ic) (Max)
110A
操作温度
-40°C~150°C TJ
已出版
2006
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
357W
配置
全桥逆变器
功率 - 最大
357W
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
110A
最大集极截止电流
250μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
输入电容
5.34nF
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 75A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
5.34nF @ 25V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
APTGT75H120TG拓展信息
Microsemi Corporation
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