注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
TAN350
品牌
Microsemi Corporation
utmel 编号
1619-TAN350
商品类别
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
封装
55ST
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Trans GP BJT NPN 65V 40A 3-Pin Case 55ST-1
起订量
--最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
TAN350详情
技术参数
PDF文档
型号对比
Microsemi Corporation TAN350重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
工厂交货时间
22 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
引脚数
55
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
65V
Number of Elements
1
操作温度
230°C TJ
包装
Bulk
已出版
2005
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
最大功率耗散
1.45kW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
引脚数量
JESD-30代码
R-CDFM-F2
配置
SINGLE
功率 - 最大
1450W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
40A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
10 @ 1A 5V
增益
7dB ~ 7.5dB
最高频率
1.215GHz
频率转换
960MHz~1.215GHz
最高频段
L B
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
技术文档: Microsemi Corporation TAN350.
右边的3个型号有着和Microsemi Corporation & TAN350相似的参数规格。
65 V
40 A
960MHz ~ 1.215GHz
1.45 kW
No
Chassis Mount, Surface Mount
6.5 A
1.025GHz ~ 1.15GHz
250 W
55 V
30 A
875 W
1.7 kW
查看更多
TAN350拓展信息
热销零件
相关分类
热门搜索
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:MRF5812GR1
封装:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
品牌:Microsemi Corporation
库存:180
型号:1090MP
封装:55FW-1
库存:0
型号:MRF586
封装:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
型号:TAN250A
封装:55AW
型号:1014-6A
封装:55LV
型号:2N3866A
库存:39
购物车 (0件产品)