MICROSS/On Semiconductor 2N2857
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2N2857
1807-2N2857
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
TO-72
大陆
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DIE RF TRANS NPN 15V
1最小包装量--
2N2857详情
MICROSS/On Semiconductor 2N2857重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
4 Weeks
底架
通孔
包装/外壳
TO-72
引脚数
4
Collector-Emitter Breakdown Voltage
15V
Number of Elements
1
包装
Tray
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
200°C
最小工作温度
-65°C
最大功率耗散
200mW
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
频率
1.6GHz
极性
NPN
配置
SINGLE
功率耗散
200mW
晶体管应用
AMPLIFIER
集电极发射器电压(VCEO)
15V
最大集电极电流
40mA
增益
21 dB
转换频率
500MHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
3V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
2N2857拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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