2N2857
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MICROSS/On Semiconductor 2N2857

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型号

2N2857

utmel 编号

1807-2N2857

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 射频

封装

TO-72

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIE RF TRANS NPN 15V

起订量

1最小包装量--

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2N2857
2N2857 MICROSS/On Semiconductor DIE RF TRANS NPN 15V

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2N2857详情

MICROSS/On Semiconductor 2N2857重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-72

  • 引脚数

    4

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    15V

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Tray

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 最高工作温度

    200°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • 频率

    1.6GHz

  • 极性

    NPN

  • 配置

    SINGLE

  • 功率耗散

    200mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    15V

  • 最大集电极电流

    40mA

  • 增益

    21 dB

  • 转换频率

    500MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    30V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    3V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: MICROSS/On Semiconductor 2N2857.

2N2857拓展信息

MMBT5179
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2SC5488A-TL-H
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MMBTH10M3T5G
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2SC5226A-5-TL-E
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KSP10BU
KSP10BU

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2SC5226A-4-TL-E
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2SC5227A-4-TB-E
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