ON Semiconductor 55GN01CA-TB-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)

工厂交货时间

5 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

10V

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

频率

5.5GHz

引脚数量

3

元素配置

Single

功率 - 最大

200mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

4.5 GHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

10V

最大集电极电流

70mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA 5V

增益

9.5dB

转换频率

5500MHz

最大击穿电压

10V

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

连续集电极电流

5mA

噪音数字(分贝类型@ f)

1.9dB @ 1GHz

高度

1.1mm

长度

2.9mm

宽度

1.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅