ON Semiconductor MMBTH81

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

42 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

225mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-50mA

频率

600MHz

基本部件号

MMBTH81

元素配置

Single

功率耗散

225mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

600MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 5mA 10V

转换频率

600MHz

最大击穿电压

20V

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

最大结点温度（Tj）

150°C

连续集电极电流

50mA

集电极-基极电容-最大值

0.85pF

高度

1.11mm

长度

2.92mm

宽度

1.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅