CPH6001A-TL-E
CPH6001A-TL-E

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ON Semiconductor CPH6001A-TL-E

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型号

CPH6001A-TL-E

utmel 编号

1807-CPH6001A-TL-E

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 射频

封装

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN BIPO 12V 100MA CPH6

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CPH6001A-TL-E
CPH6001A-TL-E ON Semiconductor TRANS NPN BIPO 12V 100MA CPH6

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CPH6001A-TL-E详情

ON Semiconductor CPH6001A-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    6

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    12V

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e6

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • 最大功率耗散

    800mW

  • 引脚数量

    6

  • 配置

    Single

  • 功率 - 最大

    800mW

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    12V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    90 @ 30mA 5V

  • 增益

    11dB

  • 转换频率

    5000MHz

  • 频率转换

    6.7GHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    20V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    2V

  • 噪音数字(分贝类型@ f)

    1.1dB @ 1GHz

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor CPH6001A-TL-E.

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CPH6001A-TL-E拓展信息

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