Nexperia USA Inc. NHUMB1F

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件包装

6-TSSOP

厂商

Nexperia USA Inc.

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Qualification

AEC-Q101

Emitter- Base Voltage VEBO

10 V

Pd - Power Dissipation

235 mW

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

- 60

Collector-Emitter Saturation Voltage

100 mV

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

150 MHz

Part # Aliases

934661424135

Manufacturer

Nexperia

Brand

Nexperia

DC Current Gain hFE Max

10

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

系列

Automotive, AEC-Q101

包装

MouseReel

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Dual

功率 - 最大

235mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

100mV @ 500μA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80V

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

80 V

电阻基(R1)

22kOhms

电阻-发射极基极(R2)

22kOhms

产品类别

Bipolar Transistors - BJT