Nexperia USA Inc. NHUMB1X
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NHUMB1X
1729-NHUMB1X
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6TSSOP
1最小包装量--
NHUMB1X详情
Nexperia USA Inc. NHUMB1X重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
6-TSSOP
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Product Status
活跃
厂商
Nexperia USA Inc.
Qualification
AEC-Q101
Emitter- Base Voltage VEBO
10 V
Pd - Power Dissipation
235 mW
Transistor Polarity
PNP
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
70
Collector-Emitter Saturation Voltage
100 mV
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Mounting Styles
SMD/SMT
Gain Bandwidth Product fT
150 MHz
Part # Aliases
934661424115
Manufacturer
Nexperia
Brand
Nexperia
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
MouseReel
子类别
Transistors
技术
Si
配置
Dual
功率 - 最大
235mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
80V
频率转换
150MHz
集电极基极电压(VCBO)
80 V
电阻基(R1)
22kOhms
电阻-发射极基极(R2)
22kOhms
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
NHUMB1X拓展信息
Nexperia USA Inc.
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