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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.187025
10
¥2.063228
100
¥1.946444
500
¥1.836269
1000
¥1.732329
Nexperia USA Inc. NHUMD2F
- 收藏
- 对比
NHUMD2F
1729-NHUMD2F
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NHUMD2F详情
Nexperia USA Inc. NHUMD2F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件包装
6-TSSOP
厂商
Nexperia USA Inc.
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Base Product Number
NHUMD2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Qualification
AEC-Q101
Transistor Polarity
NPN and PNP Complement
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10000
Part # Aliases
934661437135
Manufacturer
Nexperia
Brand
Nexperia
RoHS
Details
Emitter- Base Voltage VEBO
10 V
Pd - Power Dissipation
235 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
70
Collector-Emitter Saturation Voltage
100 mV
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Gain Bandwidth Product fT
150 MHz, 170 MHz
Maximum DC Collector Current
100 mA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
MouseReel
子类别
Transistors
配置
Dual
功率耗散
350mW
功率 - 最大
350mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
80V
频率转换
170MHz, 150MHz
集电极基极电压(VCBO)
80 V
电阻基(R1)
22kOhms
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
22kOhms
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
NHUMD2F拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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