PBLS6021D,115
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Nexperia USA Inc. PBLS6021D,115

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型号

PBLS6021D,115

utmel 编号

1729-PBLS6021D,115

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

SC-74, SOT-457

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP

起订量

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PBLS6021D,115
PBLS6021D,115 Nexperia USA Inc. TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP

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PBLS6021D,115详情

Nexperia USA Inc. PBLS6021D,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-74, SOT-457

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA 1.5A

  • Number of Elements

    2

  • Operating Temperature (Max.)

    150°C

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    6

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G6

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 功率 - 最大

    760mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN和PNP

  • 晶体管类型

    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    30 @ 20mA 5V / 140 @ 1A 2V

  • 最大集极截止电流

    1μA 100nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    150mV @ 500μA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50V 60V

  • 频率转换

    150MHz

  • 电阻基(R1)

    2.2k Ω

  • 电阻-发射极基极(R2)

    2.2k Ω

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

PBLS6021D,115拓展信息

PUMH11,115
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PIMD3,115
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PUMD12,115
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PUMB3,115
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PUMD2,115
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PEMD13,115
PEMD13,115

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PUMB2,115
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PUMD3,135
PUMD3,135

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PUMB11,115
PUMB11,115

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PEMH4,115
PEMH4,115

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