Nexperia USA Inc. PBLS6021D,115
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PBLS6021D,115
1729-PBLS6021D,115
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SC-74, SOT-457
大陆
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TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP
1最小包装量--
PBLS6021D,115详情
Nexperia USA Inc. PBLS6021D,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA 1.5A
Number of Elements
2
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
760mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN和PNP
晶体管类型
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 20mA 5V / 140 @ 1A 2V
最大集极截止电流
1μA 100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500μA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V 60V
频率转换
150MHz
电阻基(R1)
2.2k Ω
电阻-发射极基极(R2)
2.2k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PBLS6021D,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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