注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.289763
10
¥0.273361
100
¥0.257888
500
¥0.24329
1000
¥0.229519
Nexperia USA Inc. PUMD16,115
- 收藏
- 对比
PUMD16,115
1729-PUMD16,115
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

PEMD16; PUMD16 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 k Ohm, R2 = 47 k Ohm
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PUMD16,115详情
Nexperia USA Inc. PUMD16,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
453.59237mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
hFEMin
80
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2005
容差
5%
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1
最大功率耗散
300mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MD16
引脚数量
6
最大输出电流
100mA
工作电源电压
50V
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
200mW
晶体管应用
SWITCHING
测试电流
5mA
齐纳电压
3.6V
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500μA, 10mA
最大击穿电压
50V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
电阻基(R1)
22k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
高度
6.35mm
长度
6.35mm
宽度
6.35mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PUMD16,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.







哦! 它是空的。