PUMD2/DG/B3,115
PUMD2/DG/B3,115

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Nexperia USA Inc. PUMD2/DG/B3,115

  • 收藏
  • 对比

型号

PUMD2/DG/B3,115

utmel 编号

1729-PUMD2/DG/B3,115

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS RET SC-88

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
PUMD2/DG/B3,115
PUMD2/DG/B3,115 Nexperia USA Inc. TRANS RET SC-88

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

PUMD2/DG/B3,115详情

Nexperia USA Inc. PUMD2/DG/B3,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 功率 - 最大

    300mW

  • 晶体管类型

    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    60 @ 5mA 5V

  • 最大集极截止电流

    100nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    150mV @ 500μA, 10mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50V

  • 频率转换

    230MHz 180MHz

  • 电阻基(R1)

    22k Ω

  • 电阻-发射极基极(R2)

    22k Ω

0个相似型号

技术文档: Nexperia USA Inc. PUMD2/DG/B3,115.

PUMD2/DG/B3,115拓展信息

PUMH11,115
PUMH11,115

Nexperia USA Inc.

PIMD3,115
PIMD3,115

Nexperia USA Inc.

PUMD12,115
PUMD12,115

Nexperia USA Inc.

PUMB3,115
PUMB3,115

Nexperia USA Inc.

PUMD2,115
PUMD2,115

Nexperia USA Inc.

PEMD13,115
PEMD13,115

Nexperia USA Inc.

PUMB2,115
PUMB2,115

Nexperia USA Inc.

PUMD3,135
PUMD3,135

Nexperia USA Inc.

PUMB11,115
PUMB11,115

Nexperia USA Inc.

PEMH4,115
PEMH4,115

Nexperia USA Inc.

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z