Nexperia USA Inc. PUMF12,115
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PUMF12,115
1729-PUMF12,115
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP
1最小包装量--
PUMF12,115详情
Nexperia USA Inc. PUMF12,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Number of Elements
2
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2002
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1
最大功率耗散
300mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
6
最大输出电流
-100A
工作电源电压
-50V
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
集电极发射器电压(VCEO)
150mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA 5V / 120 @ 1mA 6V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500μA, 10mA / 200mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V 40V
转换频率
100MHz
最大击穿电压
40V
频率转换
100MHz
电阻基(R1)
22k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
PUMF12,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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