2N7002BK,215
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NXP 2N7002BK,215

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型号

2N7002BK,215

品牌

NXP

utmel 编号

1786-2N7002BK,215

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

1152-BBGA, FCBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

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2N7002BK,215
2N7002BK,215 NXP SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

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2N7002BK,215详情

NXP 2N7002BK,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    1152-BBGA, FCBGA

  • 供应商器件包装

    1152-FBGA (35x35)

  • Number of I/Os

    552

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    350mA (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    NXP USA Inc.

  • Power Dissipation (Max)

    370mW (Ta)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    0°C ~ 85°C (TJ)

  • 系列

    Stratix® V GX

  • 零件状态

    活跃

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 电压 - 供电

    0.87 V ~ 0.93 V

  • 基本部件号

    5SGXMA7

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.6Ohm @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.1V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    50 pF @ 10 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    0.6 nC @ 4.5 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 逻辑元件/单元数

    622000

  • 总 RAM 位数

    59939840

  • LABs数量/ CLBs数量

    234720

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

2N7002BK,215拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

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