A5G26S008NT6
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NXP A5G26S008NT6

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型号

A5G26S008NT6

品牌

NXP

utmel 编号

1786-A5G26S008NT6

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

DFN-6

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2496 2690 MHz, 27 dBm Avg., 48 V

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A5G26S008NT6
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A5G26S008NT6详情

NXP A5G26S008NT6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    DFN-6

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    125 V

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    - 3.3 V

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    - 8 V

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    5000

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Part # Aliases

    935432677528

  • Manufacturer

    NXP

  • Brand

    恩智浦半导体

  • RoHS

    Details

  • Id - Continuous Drain Current

    17 mA

  • 包装

    Reel

  • 系列

    A5G26S008N

  • 类型

    射频功率MOSFET

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    GaN Si

  • 工作频率

    2496 MHz to 2690 MHz

  • 通道数量

    1 Channel

  • 输出功率

    27 dBm

  • 产品类别

    射频MOSFET晶体管

  • 增益

    18.4 dB

  • 产品类别

    射频MOSFET晶体管

0个相似型号

A5G26S008NT6拓展信息

AFT05MS003NT1
AFT05MS003NT1

NXP USA Inc.

BF862,215
BF862,215

NXP USA Inc.

MW6S010GNR1
MW6S010GNR1

NXP USA Inc.

MRFE6VP61K25HR6
MRFE6VP61K25HR6

NXP USA Inc.

AFT05MS031NR1
AFT05MS031NR1

NXP USA Inc.

MRFE6S9125NR1
MRFE6S9125NR1

NXP USA Inc.

MRF085HR5178
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NXP Semiconductors

AFT09MS007NT1
AFT09MS007NT1

NXP USA Inc.

AFT27S010NT1
AFT27S010NT1

NXP USA Inc.

AFT05MS006NT1
AFT05MS006NT1

NXP USA Inc.

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