A5G26S008NT6详情
NXP A5G26S008NT6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
DFN-6
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
125 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 3.3 V
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage
- 8 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
5000
Mounting Styles
SMD/SMT
Part # Aliases
935432677528
Manufacturer
NXP
Brand
恩智浦半导体
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
17 mA
包装
Reel
系列
A5G26S008N
类型
射频功率MOSFET
子类别
MOSFETs
技术
GaN Si
工作频率
2496 MHz to 2690 MHz
通道数量
1 Channel
输出功率
27 dBm
产品类别
射频MOSFET晶体管
增益
18.4 dB
产品类别
射频MOSFET晶体管
A5G26S008NT6拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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