BF862,215
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NXP USA Inc. BF862,215

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型号

BF862,215

utmel 编号

1786-BF862,215

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

JFET N-CH 20V 25MA SOT23

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BF862,215
BF862,215 NXP USA Inc. JFET N-CH 20V 25MA SOT23

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BF862,215详情

NXP USA Inc. BF862,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature (Max.)

    150°C

  • Voltage Rated

    20V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    1999

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.21.00.75

  • 额定电流

    25mA

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    BF862

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 晶体管类型

    N-Channel JFET

  • JEDEC-95代码

    TO-236AB

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.04A

  • DS 击穿电压-最小值

    20V

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.225W

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: NXP USA Inc. BF862,215.

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右边的3个型号有着和NXP USA Inc. & BF862,215相似的参数规格。

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BF862,215拓展信息

AFT05MS003NT1
AFT05MS003NT1

NXP USA Inc.

MW6S010GNR1
MW6S010GNR1

NXP USA Inc.

MRFE6VP61K25HR6
MRFE6VP61K25HR6

NXP USA Inc.

AFT05MS031NR1
AFT05MS031NR1

NXP USA Inc.

MRFE6S9125NR1
MRFE6S9125NR1

NXP USA Inc.

MRF085HR5178
MRF085HR5178

NXP Semiconductors

AFT09MS007NT1
AFT09MS007NT1

NXP USA Inc.

AFT27S010NT1
AFT27S010NT1

NXP USA Inc.

AFT05MS006NT1
AFT05MS006NT1

NXP USA Inc.

AFT05MS004NT1
AFT05MS004NT1

NXP USA Inc.

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