NXP USA Inc. MRF6V2010NR1
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MRF6V2010NR1
1786-MRF6V2010NR1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
TO-270AA
大陆
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Trans RF MOSFET N-CH 110V 3-Pin TO-270 T/R
--最小包装量--
MRF6V2010NR1详情
NXP USA Inc. MRF6V2010NR1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
TO-270AA
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
225°C
Voltage Rated
110V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
频率
220MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MRF6V2010
JESD-30代码
R-PDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
30mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
23.9dB
DS 击穿电压-最小值
110V
功率 - 输出
10W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
50V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MRF6V2010NR1拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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