BLF1043112详情
NXP BLF1043112重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SMD, No Lead
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
580
厂商
CTS-Frequency Controls
Product Status
活跃
Package Description
CERAMIC PACKAGE-2
Package Style
小概要
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Manufacturer Package Code
SOT538A
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLF1043,112
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.68
Part Package Code
DIP
Drain Current-Max (ID)
2.2 A
操作温度
-30°C ~ 85°C
系列
580
尺寸/尺寸
0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)
ECCN 代码
EAR99
类型
VCTCXO
HTS代码
8541.29.00.75
子类别
FET 通用电源
电压 - 供电
3.3V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
频率
19.2 MHz
频率稳定性
±280ppb
输出量
削波正弦波
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDSO-G2
功能
-
基本谐振器
Crystal
最大电流源
6mA
资历状况
不合格
Brand Name
恩智浦半导体
电流 - 电源(禁用)(最大值)
-
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
扩频带宽
-
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.2 A
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
绝对牵引范围 (APR)
±5ppm
最高频段
超高频段
座位高度(最大)
0.079 (2.00mm)
评级结果
-
BLF1043112拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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