BLF8G20LS-200V,118详情
NXP BLF8G20LS-200V,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Axial, Can - Screw Terminals
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
7
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Voltage Rated
2.7V
Lifetime @ Temp.
1500 Hrs @ 65°C
Lead Free Status / RoHS Status
--
Voltage, Rating
65 V
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Package Description
FLATPACK, R-CQFP-X6
Package Style
FLATPACK
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLF8G20LS-200V,118
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Ampleon
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
AMPLEON NETHERLANDS B V
Risk Rank
5.58
包装
Bulk
操作温度
-40°C ~ 65°C
系列
ESHSR
尺寸/尺寸
2.370 Dia x 5.472 L (60.20mm x 139.00mm)
容差
0%, +20%
零件状态
Obsolete
终端
螺丝端子
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
电容量
3000F
端子位置
QUAD
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
频率
1.88 GHz
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-CQFP-X6
ESR(等效串联电阻)
0.26 mOhm
引线间距
--
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
输出功率
55 W
晶体管应用
AMPLIFIER
测试电流
1.6 A
漏源电压 (Vdss)
65 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
栅极至源极电压(Vgs)
13 V
增益
17.5 dB
最高频率
2 GHz
漏源击穿电压
65 V
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
L带
测试电压
28 V
座位高度(最大)
--
BLF8G20LS-200V,118拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.








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