BLF8G22LS-200GVJ详情
NXP BLF8G22LS-200GVJ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
供应商器件包装
SOT-23
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Base Product Number
MMBZ5231
Impedance (Max) (Zzt)
17 Ohms
厂商
Micro Commercial Co
Product Status
活跃
Package Description
ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-6
Package Style
小概要
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLF8G22LS-200GVJ
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Ampleon
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
AMPLEON NETHERLANDS B V
Risk Rank
5.56
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
容差
±1.96%
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-CDSO-G6
配置
SINGLE
反向泄漏电流@ Vr
5 µA @ 2 V
操作模式
增强型MOSFET
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 100 mA
箱体转运
SOURCE
功率 - 最大
350 mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
5.1 V
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
S带
BLF8G22LS-200GVJ拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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