BLF8G22LS-200V,112详情
NXP BLF8G22LS-200V,112重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
7
材料
Aluminum
形状
Square, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
蓝色阳极氧化
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
65 V
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Package Description
FLATPACK, R-CDFP-F6
Package Style
FLATPACK
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLF8G22LS-200V,112
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Ampleon
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
AMPLEON NETHERLANDS B V
Risk Rank
5.56
系列
pushPIN™
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
顶部安装
最高工作温度
225 °C
最小工作温度
-65 °C
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
频率
2.17 GHz
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-CDFP-F6
配置
SINGLE
附着方法
推销
离底高度(鳍的高度)
0.790 (20.00mm)
强制空气流动时的热阻
15.02°C/W @ 100 LFM
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
输出功率
45 W
晶体管应用
AMPLIFIER
测试电流
2 A
漏源电压 (Vdss)
65 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
栅极至源极电压(Vgs)
13 V
增益
20 dB
最高频率
2.17 GHz
漏源击穿电压
65 V
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
自然环境下的热阻
--
最高频段
S带
测试电压
28 V
温度上升时的耗散功率
--
宽度
0.984 (25.00mm)
长度
0.984 (25.00mm)
直径
--
BLF8G22LS-200V,112拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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