BLL6H0514LS-130,11详情
NXP BLL6H0514LS-130,11重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
供应商器件包装
8-SOIC
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11A
Package Description
FLATPACK, S-CDFP-F2
Package Style
FLATPACK
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BLL6H0514LS-130,11
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Ampleon
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
AMPLEON NETHERLANDS B V
Risk Rank
5.34
Drain Current-Max (ID)
18 A
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
--
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
S-CDFP-F2
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
功率 - 最大
2W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
AMPLIFIER
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.6 mOhm @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1300pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
最高频段
L带
BLL6H0514LS-130,11拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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