BUK769R6-80E,118
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NXP BUK769R6-80E,118

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型号

BUK769R6-80E,118

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BUK769R6-80E,118

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor MOSFET N-Channel 80V 75A 3-Pin D2PAK

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BUK769R6-80E,118
BUK769R6-80E,118 NXP Transistor MOSFET N-Channel 80V 75A 3-Pin D2PAK

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BUK769R6-80E,118详情

NXP BUK769R6-80E,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

  • 供应商器件包装

    TSOT-5

  • Package

    Tube

  • 厂商

    Melexis Technologies NV

  • Product Status

    活跃

  • Test Conditions

    -40°C ~ 150°C

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    75A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    182W (Tc)

  • 操作温度

    -40°C ~ 150°C (TA)

  • 系列

    -

  • 技术

    霍尔效应

  • 电压 - 供电

    2.7V ~ 24V

  • 功能

    Latch

  • 最大电流源

    7mA

  • 输出类型

    开漏极态

  • 极化

    North Pole, South Pole

  • 最大输出电流

    20mA

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    9.6mOhm @ 20A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4682 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    59.8 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    80 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

  • 感应范围

    4.5mT Trip, -4.5mT Release

  • 特征

    -

0个相似型号

BUK769R6-80E,118拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

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