MRF18030BLSR3
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NXP MRF18030BLSR3

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型号

MRF18030BLSR3

品牌

NXP

utmel 编号

1786-MRF18030BLSR3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

L Band Si N-channel Rf Power Mosfet

起订量

1最小包装量--

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MRF18030BLSR3
MRF18030BLSR3 NXP L Band Si N-channel Rf Power Mosfet

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MRF18030BLSR3详情

NXP MRF18030BLSR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    ROHS COMPLIANT, NI-400S, CASE 465F-04, 2 PIN

  • Package Style

    FLATPACK

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Manufacturer Package Code

    CASE 465F-04

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MRF18030BLSR3

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.62

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    GOLD

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    R-CDFP-F2

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • DS 击穿电压-最小值

    65 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最高频段

    L带

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

MRF18030BLSR3拓展信息

AFT05MS003NT1
AFT05MS003NT1

NXP USA Inc.

BF862,215
BF862,215

NXP USA Inc.

MW6S010GNR1
MW6S010GNR1

NXP USA Inc.

MRFE6VP61K25HR6
MRFE6VP61K25HR6

NXP USA Inc.

AFT05MS031NR1
AFT05MS031NR1

NXP USA Inc.

MRFE6S9125NR1
MRFE6S9125NR1

NXP USA Inc.

MRF085HR5178
MRF085HR5178

NXP Semiconductors

AFT09MS007NT1
AFT09MS007NT1

NXP USA Inc.

AFT27S010NT1
AFT27S010NT1

NXP USA Inc.

AFT05MS006NT1
AFT05MS006NT1

NXP USA Inc.

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