MRF18060BLSR3详情
NXP MRF18060BLSR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
2-SMD, Gull Wing
表面安装
YES
供应商器件包装
SMD
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
封装的热阻
5°C/W
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
OSRAM Opto (ams OSRAM)
Product Status
Obsolete
Luminous Flux @ Current/Temperature
205lm (130lm ~ 280lm)
Temperature-Test
25°C
RoHS
Compliant
Package Description
FLATPACK, R-CDFP-F2
Package Style
FLATPACK
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Manufacturer Package Code
CASE 465A-06
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MRF18060BLSR3
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
飞思卡尔半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.06
系列
钻石龙
尺寸/尺寸
0.303 L x 0.264 W (7.70mm x 6.70mm)
无铅代码
有
ECCN 代码
5A991
颜色
Green
附加功能
HIGH EFFICIENCY
HTS代码
8542.31.00.01
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFP-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
电压 - 正向 (Vf) (类型)
3.5V
视角
140°
箱体转运
SOURCE
测试电流
1.4A
流明/瓦特@电流 - 测试
42 lm/W
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
65 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大电流
2A
波长
531nm (519nm ~ 543nm)
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
180 W
最高频段
L带
座位高度(最大)
0.175 (4.45mm)
MRF18060BLSR3拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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