PHD20N06T,118
PHD20N06T,118

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NXP PHD20N06T,118

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型号

PHD20N06T,118

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PHD20N06T,118

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

Radial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 55V 18A DPAK

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1最小包装量--

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PHD20N06T,118
PHD20N06T,118 NXP MOSFET N-CH 55V 18A DPAK

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PHD20N06T,118详情

NXP PHD20N06T,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    Radial

  • 供应商器件包装

    DPAK

  • 介电材料

    Polypropylene (PP), Metallized

  • Lead Free Status / RoHS Status

    --

  • Voltage Rating DC

    1000V (1kV)

  • Voltage Rating AC

    500V

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    18A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    NXP USA Inc.

  • Power Dissipation (Max)

    51W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -55°C ~ 100°C

  • 系列

    MKP1840M

  • 包装

    Bulk

  • 尺寸/尺寸

    0.689 L x 0.335 W (17.50mm x 8.50mm)

  • 容差

    ±10%

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    --

  • 终端

    PC引脚

  • 应用

    DC Link, DC Filtering; High Frequency, Switching; High Pulse, DV/DT

  • 电容量

    0.068µF

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 引线间距

    0.591 (15.00mm)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    77mOhm @ 10A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    422 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    11 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    55 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

  • 特征

    --

  • 座位高度(最大)

    0.591 (15.00mm)

  • 评级结果

    --

0个相似型号

PHD20N06T,118拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

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