NXP PMZB420UN，315

包装/外壳

QFN

安装类型

表面贴装

引脚数

4

供应商器件包装

DFN1006B-3

Product Depth (mm)

5(mm)

Operating Temp Range

-40C to 85C

Mounting Styles

表面贴装

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

900mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

厂商

NXP USA Inc.

Power Dissipation (Max)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

Product Status

Obsolete

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Usage Level

Industrial grade

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

490mOhm @ 200mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

65 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.98 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±8V

筛选水平

Industrial

场效应管特性

-

产品长度(mm)

7(mm)

产品高度(mm)

0.9(mm)