PSMN015-100B118详情
NXP PSMN015-100B118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, No Lead
供应商器件包装
D2PAK
Package
Strip
Base Product Number
545CBA
厂商
Skyworks Solutions Inc.
Product Status
不用于新设计
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
75A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
300W (Ta)
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
Ultra™ Si545
尺寸/尺寸
0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)
类型
XO (Standard)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
电压 - 供电
1.8V, 2.5V, 3.3V
频率
200 MHz
频率稳定性
±10ppm
输出量
CMOS
功能
Enable/Disable
基本谐振器
Crystal
最大电流源
127mA
电流 - 电源(禁用)(最大值)
112mA
扩频带宽
-
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
15mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4900 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
90 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
100 V
Vgs(最大值)
±20V
绝对牵引范围 (APR)
-
场效应管特性
-
座位高度(最大)
0.052 (1.33mm)
评级结果
-
PSMN015-100B118拓展信息
NXP USA Inc.
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