PSMN015-100B118
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NXP PSMN015-100B118

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型号

PSMN015-100B118

品牌

NXP

utmel 编号

1786-PSMN015-100B118

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

6-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NEXPERIA PSMN015-100B - 75A, 100

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PSMN015-100B118
PSMN015-100B118 NXP NEXPERIA PSMN015-100B - 75A, 100

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PSMN015-100B118详情

NXP PSMN015-100B118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-SMD, No Lead

  • 供应商器件包装

    D2PAK

  • Package

    Strip

  • Base Product Number

    545CBA

  • 厂商

    Skyworks Solutions Inc.

  • Product Status

    不用于新设计

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    75A (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    300W (Ta)

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 系列

    Ultra™ Si545

  • 尺寸/尺寸

    0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)

  • 类型

    XO (Standard)

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 电压 - 供电

    1.8V, 2.5V, 3.3V

  • 频率

    200 MHz

  • 频率稳定性

    ±10ppm

  • 输出量

    CMOS

  • 功能

    Enable/Disable

  • 基本谐振器

    Crystal

  • 最大电流源

    127mA

  • 电流 - 电源(禁用)(最大值)

    112mA

  • 扩频带宽

    -

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    15mOhm @ 25A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4900 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    90 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    100 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 绝对牵引范围 (APR)

    -

  • 场效应管特性

    -

  • 座位高度(最大)

    0.052 (1.33mm)

  • 评级结果

    -

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PSMN015-100B118拓展信息

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