NXP Semiconductors BLA0912-250,112

底架

Screw

引脚数

3

ECCN (US)

EAR99

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Process Technology

LDMOS

Maximum Drain Source Voltage (V)

75

Maximum Gate Source Voltage (V)

±22

Maximum VSWR

5

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

60(Typ)@9V

Typical Forward Transconductance (S)

9

Maximum Power Dissipation (mW)

700000

Output Power (W)

250(Min)

Typical Power Gain (dB)

13

Maximum Frequency (MHz)

1215

Minimum Frequency (MHz)

960

Typical Fall Time (ns)

6

Typical Rise Time (ns)

25

Typical Drain Efficiency (%)

50

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

200

Supplier Package

SOT-502A

Military

无

Mounting

Screw

Package Height

4.72(Max)

Package Length

34.16(Max)

Package Width

9.91(Max)

PCB changed

3

Voltage, Rating

75 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

700 W

额定电流

45 A

频率

960 MHz

引脚数量

3

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

700 W

输出功率

250 W

上升时间

25 ns

漏源电压 (Vdss)

75 V

连续放电电流(ID)

300 mA

栅极至源极电压(Vgs)

22 V

增益

13 dB

最高频率

1.215 GHz

最大输出功率

250 W

漏源击穿电压

75 V

信道型

N

漏源电阻

60 mΩ

操作方式

AB类

测试电压

36 V

RoHS状态

供应商未确认

无铅

无铅