NXP Semiconductors BLD6G22L-50

底架

Screw

表面安装

YES

引脚数

5

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

PCB changed

5

Package Width

9.91(Max)

Package Length

20.45(Max)

Package Height

4.65(Max)

Mounting

Screw

Military

无

Supplier Package

CDFM

Maximum Operating Temperature (°C)

200

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Typical Drain Efficiency (%)

40

Minimum Frequency (MHz)

2110

Maximum Frequency (MHz)

2170

Typical Power Gain (dB)

14

Output Power (W)

8(Typ)

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

[email protected]

Maximum Continuous Drain Current (A)

10.2

Maximum VSWR

10

Maximum Gate Source Voltage (V)

13

Maximum Drain Source Voltage (V)

65

Number of Elements per Chip

2

Channel Mode

Enhancement

ECCN (US)

EAR99

Number of Elements

2

RoHS

Compliant

Drain Current-Max (ID)

10.2 A

Risk Rank

5.81

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

恩智浦半导体

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

BLD6G22L-50

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

200 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

5

JESD-30代码

R-CDFM-F4

资历状况

不合格

配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

10.2 A

最高频率

2.17 GHz

DS 击穿电压-最小值

65 V

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最高频段

S带

操作方式

W-CDMA

RoHS状态

符合RoHS标准