NXP Semiconductors BLF2425M7L140,112

底架

Screw

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

ECCN (US)

EAR99

HTS

8541.29.00.75

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Process Technology

LDMOS

Maximum Drain Source Voltage (V)

65

Maximum Gate Source Voltage (V)

13

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

2.3

Maximum VSWR

10

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

500

Maximum IDSS (uA)

5

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

69(Typ)@6.05V

Typical Forward Transconductance (S)

16

Output Power (W)

140(Typ)

Typical Power Gain (dB)

18.5

Maximum Frequency (MHz)

2500

Minimum Frequency (MHz)

2400

Typical Drain Efficiency (%)

52

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

225

Supplier Package

SOT-502A

Military

无

Mounting

Screw

Package Height

4.72(Max)

Package Length

34.16(Max)

Package Width

9.91(Max)

PCB changed

3

Voltage, Rating

65 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BLF2425M7L140,112

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Ampleon

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

AMPLEON NETHERLANDS B V

Risk Rank

5.68

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

225 °C

最小工作温度

-65 °C

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

频率

2.5 GHz

引脚数量

3

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-CDFM-F2

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

输出功率

140 W

晶体管应用

AMPLIFIER

测试电流

1.3 A

漏源电压 (Vdss)

65 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

栅极至源极电压(Vgs)

13 V

增益

18.5 dB

最高频率

2.5 GHz

漏源击穿电压

65 V

DS 击穿电压-最小值

65 V

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最高频段

S带

操作方式

CW

测试电压

28 V

最小击穿电压

65 V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅