NXP Semiconductors BLL1214-250,112

底架

Screw

引脚数

3

ECCN (US)

EAR99

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Process Technology

LDMOS

Maximum Drain Source Voltage (V)

75

Maximum Gate Source Voltage (V)

±22

Maximum VSWR

3

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

60(Typ)@9V

Typical Forward Transconductance (S)

9

Maximum Power Dissipation (mW)

400000

Output Power (W)

250

Typical Power Gain (dB)

12(Min)

Maximum Frequency (MHz)

1400

Minimum Frequency (MHz)

1200

Typical Drain Efficiency (%)

42(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

200

Automotive

Unknown

Supplier Package

SOT-502A

Military

无

Mounting

Screw

Package Height

4.72(Max)

Package Length

34.16(Max)

Package Width

9.91(Max)

PCB changed

3

Voltage, Rating

75 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

400 W

额定电流

45 A

频率

1.4 GHz

引脚数量

3

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

400 W

输出功率

250 W

测试电流

150 mA

漏源电压 (Vdss)

75 V

连续放电电流(ID)

45 A

栅极至源极电压(Vgs)

22 V

增益

12 dB

最高频率

1.4 GHz

最大输出功率

250 W

漏源击穿电压

75 V

信道型

N

漏源电阻

60 mΩ

操作方式

Pulsed RF Class-AB

测试电压

36 V

宽度

9.91 mm

高度

4.72 mm

长度

34.16 mm

RoHS状态

供应商未确认