NXP Semiconductors MRF7S21170HS
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MRF7S21170HS
1786-MRF7S21170HS
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
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FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S
1最小包装量--
MRF7S21170HS详情
NXP Semiconductors MRF7S21170HS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
225°C
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
R-CDFP-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
65V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
S B
RoHS状态
符合RoHS标准
MRF7S21170HS拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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