NXP Semiconductors MRF8S9260HSR5

底架

表面贴装

引脚数

3

质量

6.757591 g

ECCN (US)

EAR99

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Maximum Drain Source Voltage (V)

70

Maximum Gate Source Voltage (V)

10

Maximum VSWR

7

Output Power (W)

75(Typ)

Typical Power Gain (dB)

18.8

Maximum Frequency (MHz)

960

Minimum Frequency (MHz)

865

Typical Drain Efficiency (%)

38.5

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

225

Supplier Package

Case 465C-02

Military

无

Mounting

表面贴装

Package Height

5.08(Max)

Package Length

23.24(Max)

Package Width

13.8(Max)

PCB changed

3

Voltage, Rating

65 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

包装

卷带

零件状态

Obsolete

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

频率

1.88 GHz

引脚数量

3

配置

Single

元素配置

Single

输出功率

72 W

测试电流

800 mA

漏源电压 (Vdss)

70 V

栅极至源极电压(Vgs)

10 V

增益

16 dB

最高频率

960 MHz

最大输出功率

260 W

漏源击穿电压

70 V

信道型

N

操作方式

1-Carrier W-CDMA|CDMA|GSM

测试电压

30 V

RoHS状态

符合RoHS标准