NXP Semiconductors SA2T18H450W19SR6
- 收藏
- 对比
SA2T18H450W19SR6
1786-SA2T18H450W19SR6
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
NI-1230S-4S4S
大陆
立即发货

A2T18H450 - AIRFAST RF POWER LDM
1最小包装量--
SA2T18H450W19SR6详情
NXP Semiconductors SA2T18H450W19SR6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
NI-1230S-4S4S
供应商器件包装
NI-1230S-4S4S
Voltage Rated
65 V
厂商
恩智浦半导体
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
系列
-
额定电流
10μA
频率
1.805GHz ~ 1.88GHz
测试电流
800 mA
晶体管类型
LDMOS (Dual)
增益
16.6dB
功率 - 输出
89W
噪声图
-
电压-测试
30 V
SA2T18H450W19SR6拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.







哦! 它是空的。