NXP USA Inc. A2G26H281-04SR3
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A2G26H281-04SR3
1786-A2G26H281-04SR3
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
NI-780S-4L
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AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
--最小包装量--
A2G26H281-04SR3详情
NXP USA Inc. A2G26H281-04SR3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
包装/外壳
NI-780S-4L
Voltage Rated
125V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
2.496GHz~2.69GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
测试电流
150mA
晶体管类型
LDMOS
增益
14.2dB
功率 - 输出
50W
电压-测试
48V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
A2G26H281-04SR3拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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