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A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

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NXP USA Inc. A2G35S200-01SR3

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型号

A2G35S200-01SR3

品牌

utmel 编号

1786-A2G35S200-01SR3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

NI-400S-2S

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

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--最小包装量--

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A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

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A2G35S200-01SR3详情

技术参数

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NXP USA Inc. A2G35S200-01SR3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

16 Weeks
包装/外壳

NI-400S-2S
Voltage Rated

125V
Usage Level

Military grade
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2016
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

不适用
ECCN 代码

EAR99
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
频率

3.4GHz~3.6GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
测试电流

291mA
晶体管类型

LDMOS
增益

16.1dB
功率 - 输出

180W
电压-测试

48V
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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