NXP USA Inc. A2I25H060NR1
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A2I25H060NR1
1786-A2I25H060NR1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
TO-270-17 Variant, Flat Leads
大陆
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AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGRATED POWER AMPLIFIER 2300-2690 MH , 10.5 W AVG., 28 V
--最小包装量--
A2I25H060NR1详情
NXP USA Inc. A2I25H060NR1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
TO-270-17 Variant, Flat Leads
Voltage Rated
65V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
频率
2.59GHz
测试电流
26mA
晶体管类型
LDMOS (Dual)
增益
26.1dB
功率 - 输出
10.5W
电压-测试
28V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
A2I25H060NR1拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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