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A2T08VD020NT1

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NXP USA Inc. A2T08VD020NT1

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对比

型号

A2T08VD020NT1

品牌

utmel 编号

1786-A2T08VD020NT1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

24-QFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

起订量

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A2T08VD020NT1

A2T08VD020NT1 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

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技术参数

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NXP USA Inc. A2T08VD020NT1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

10 Weeks
包装/外壳

24-QFN Exposed Pad
Voltage Rated

105V
Usage Level

Automotive grade
已出版

2013
包装

Tape & Reel (TR)
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
ECCN 代码

EAR99
额定电流

10μA
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
频率

728MHz~960MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
测试电流

40mA
晶体管类型

LDMOS
增益

19.1dB
功率 - 输出

18W
电压-测试

48V
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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