NXP USA Inc. A2T18H450W19SR6
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A2T18H450W19SR6
1786-A2T18H450W19SR6
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
NI-1230S-4S4S
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IC TRANS RF LDMOS
1最小包装量--
A2T18H450W19SR6详情
NXP USA Inc. A2T18H450W19SR6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
NI-1230S-4S4S
Voltage Rated
30V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
1.805GHz~1.88GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
晶体管类型
LDMOS
增益
16.5dB
功率 - 输出
89W
RoHS状态
ROHS3 Compliant
A2T18H450W19SR6拓展信息
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
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